A próxima geração de memórias RAM já está sendo desenvolvida pela Samsung, SK Hynix e Micron. Segundo o portal sul-coreano The Elec, as três fabricantes estão se comunicando com fornecedores de substratos para criar as bases de produção para as memórias LPDDR6 após revelarem os primeiros projetos e protótipos iniciais que atingem até 17.600 MT/s.
Espessura do módulo, layout de conexão e estrutura da pilha da memória são os principais aspectos abordados no estágio inicial de desenvolvimento das novas memórias. A expectativa é que elas tenham velocidade inicial de 8.800 MT/s, mas podem atingir até 21.000 MT/s em overclock.
Isto deve ser possível graças a nova arquitetura multicanal com quatro subcanais de 24 bits, que otimizará o gerenciamento de largura de banda, troughtput e operações paralelas de transferência de dados.
