Novas informações divulgadas pelo informante Fixed-focus na rede social Weibo indicam que a Qualcomm integrará a tecnologia Heat Pass Block (HPB), originalmente desenvolvida pela Samsung, na arquitetura dos futuros chipsets Snapdragon 8 Elite Gen 6 e Gen 6 Pro.
A mudança estrutural visa viabilizar frequências de clock superiores a 5,00 GHz ainda este ano, sem depender exclusivamente da litografia de 2 nm.
A implementação do HPB representa uma ruptura no design de empacotamento de chips móveis. Diferente das arquiteturas atuais (Package-on-Package), onde a memória DRAM é posicionada diretamente sobre o SoC — criando uma “armadilha de calor” —, o novo padrão utiliza um dissipador de cobre acoplado diretamente ao die de silício, com a memória posicionada lateralmente.