A Samsung anunciou o início do envio de amostras da supermemória HBM4E para grandes clientes globais que operam infraestruturas massivas de IA. A movimentação acontece cerca de um mês após a empresa ter pausado a produção em massa de sua DRAM de 10 nm convencional, cujos custos superavam os retornos esperados.
A HBM4E combina o processo DRAM de sexta geração em classe de 10 nm com uma base lógica de 4 nm fabricada pela própria Samsung Foundry. A configuração entrega velocidade estável de 14 Gbps, com capacidade de escalar até 16 Gbps.
