A Samsung acaba de anunciar o desenvolvimento de um novo tipo de transistor para memórias DRAM abaixo de 10 nm, capaz de resistir a altas temperaturas e garantir maior estabilidade e densidade de dados. O feito representa um passo decisivo rumo às próximas gerações de chips 0a e 0b, que prometem desempenho superior e consumo energético reduzido.
O anúncio foi feito durante o IEEE International Electron Devices Meeting (IEDM), realizado em São Francisco, e envolveu uma parceria entre a Samsung Electronics e o Samsung Advanced Institute of Technology (SAIT).
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(atualizado em 16 de December de 2025, às 10:04)