Um novo rumor sugere que a Samsung deu um salto expressivo e bateu recordes ao desenvolver seu primeiro protótipo de memória V-NAND para SSDs com 900 camadas. O avanço coloca a gigante sul-coreana em vantagem sobre concorrentes como a SK Hynix, deixando-a muito perto da meta de atingir a marca de 1.000 camadas até 2030, impulsionada pela alta demanda de processamento gerada pela Inteligência Artificial.
As informações foram compartilhadas pelo portal sul-coreano ETNews e destacam que a fabricante, uma das maiores produtoras de memória do mundo, teria conseguido desenvolver um protótipo de NAND empilhada com 900 camadas, número mais de 2 vezes maior que o limite disponível atualmente.
Para alcançar esse feito, a empresa teria utilizado a tecnologia CMB (Cell Multi-Bonding), que une dois wafers de 450 camadas em uma única estrutura. Durante o processo, a companhia precisou superar barreiras físicas complexas, como a deformação do material e a redução de erros de alinhamento.
