O futuro dos semicondutores da Samsung ganha contornos ambiciosos com os primeiros detalhes do Exynos 2700. Com o codinome interno “Ulysses”, o componente projetado para 2027 promete corrigir falhas históricas de suas gerações anteriores. O foco central da nova engenharia será o controle térmico absoluto.
A grande inovação reside no processo de fabricação SF2P, a evolução da litografia de 2 nanômetros com arquitetura Gate-All-Around (GAA). Essa tecnologia de transistores 3D permite que o “Gate” envolva o canal por todos os lados. Na prática, isso resulta em um controle eletrostático superior e menor fuga de tensão.
A Samsung projeta um salto de 12% em desempenho bruto aliado a uma redução de 25% no consumo energético. Em termos de velocidade, o Exynos 2700 elevará a frequência do núcleo principal para 4,20 GHz. O chip adotará os novos núcleos ARM Cortex-C2, sob as nomenclaturas C2-Ultra e C2-Pro.