Aproveitando a Future of Memory and Storage 2026 – feira dedicada a novas tecnologias de memória para infraestrutura de inteligência artificial –, a Samsung acaba de anunciar suas intenções para o futuro, com projetos específicos para acelerar o processamento de IA tanto em grandes data centers quanto nos dispositivos que você tem em mãos todos os dias.
O grande destaque é o zNAND-O, um novo conceito de memória flash 3D NAND de alto desempenho voltado para a “Edge AI” (IA processada localmente). Desenvolvido em versões de quatro e oito camadas, o componente promete entregar latência reduzida e velocidades de transferência superiores às dos chips atuais.
Graças ao seu design compacto, a novidade é apontada como ideal para integrar a próxima geração de dispositivos móveis, incluindo laptops, smartphones, tablets e sistemas de robótica, permitindo que funções complexas de IA sejam executadas localmente no aparelho, sem o auxílio da nuvem.
