A Samsung avança no desenvolvimento do Exynos 2700, chipset flagship projetado em 2 nanômetros com transistores Gate-All-Around (GAA). Segundo o leaker @phonefuturist, após o estágio inicial na litografia SF2, a sul-coreana se prepara para colocar em ação o nó SF2P. Trata-se de uma versão otimizada voltada para entregar ganhos superiores de desempenho e eficiência energética.
A evolução física do semicondutor pode permitir que o componente ultrapasse a barreira de 4 GHz em seus núcleos de alta performance, alcançando marcas inéditas para a linha proprietária da marca e encostando em rivais como o Snapdragon 8 Elite Gen 5 e o Apple A20 Pro.
O teto de frequência do Exynos 2600 ficou estabelecido em 3,9 GHz no núcleo mais veloz, operando sob uma taxa de rendimento estimada em 60% na linha de 2 nm GAA. As expectativas para o processo SF2P do Exynos 2700 apontam para um índice de rendimento entre 65% e 70% durante o segundo semestre de 2026.
