Participando da Computex 2026, a Samsung demonstrou nesta terça-feira (2) pela primeira vez de forma pública sua nova memória HBM5, próxima geração de DRAM que deve equipar futuros aceleradores de IA e sistemas de data centers. O detalhe mais interessante confirmado na exibição é que a solução trará como uma das novidades a Heat Path Blocker (HPB), tecnologia de fabricação “emprestada” do recente Exynos 2600 para celulares.
Sucessora da HBM4E, cuja estreia está prevista ainda para este ano, as memórias HBM5 têm lançamento aguardado para 2028, e ainda têm poucos detalhes técnicos conhecidos. Além de um óbvio salto na velocidade, sabe-se que esses componentes terão versões de 12, 16 e 20 camadas de DRAM para alta capacidade, e que serão fabricados no processo 1d da classe de 10 nm da empresa sul-coreana.
Com isso dito, a passagem pela Computex revelou que a fabricante pretende apostar em mais uma novidade curiosa: o processo de empacotamento com o Heat Path Block, ou HPB. Conforme o nome indica, a tecnologia cria rotas adicionais para a dissipação de calor, sendo praticamente um cooler embutido na própria memória.
