Pouco depois de receber investimentos do Japão, a Z-Angle Memory, ou ZAM, desenvolvida pela Intel em parceria com a SoftBank e a SAIMEMORY, ganhou mais detalhes técnicos. Nova tecnologia de memória projetada para disputar a liderança no boom da Inteligência Artificial, a solução promete entregar até o dobro da largura de banda da atual líder HBM4, ao mesmo tempo em que entregaria menor consumo e melhor eficiência térmica para a próxima geração de GPUs.
Conforme revelaram as novas documentações liberadas pelo time azul, com previsão de produção em massa entre 2028 e 2030, a ZAM aposta em um design empilhado de 9 camadas, sendo 8 de DRAM e 1 controlador lógico na base.
A estrutura utiliza tecnologias avançadas de hybrid bonding (ligação direta de cobre com cobre) e reúne dezenas de milhares de conexões TSV (vias através do silício) em um substrato de silício ultrafino de apenas 3 mícrons (20 vezes mais fino que um grão de sal). O resultado é um pacote supercompacto de apenas 171 mm², que consegue entregar 30 GB de capacidade total e uma largura de banda extrema de 5,3 TB/s por pilha.
